第642章 新一代光刻機

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在一開始的時候，零部件的國產化率就要高出很多。

像是mota800光刻機在剛出的時候，國產化率只有百分之二十幾，而到了現在，mota400光刻機的國產化率直接是百分之四十起步的。

提升了十幾個百分點。

這無疑來講，是一個相當巨大的進步。

mota400光刻機屬於第二代光刻機，是mota800的升級版產品。

可以實現最小400nm的工藝節點，當然，透過特殊的工藝製程的話，可以生產更低節點工藝的晶片。

只不過在成本上面，可能會是稍稍貴了那麼些。

光刻機最為重要的，就是光源。

現在採用的光源都屬於深紫外光。

第一代光刻機採用的波長436nm的g-line光源，現在的光刻機採用波長365nm的i-line光源。

下一代光源也已經確定了，是波長248nm的krf光源。

第四代的時候，採用波長193nm的arf光源。

但是，已經有一個新的概念被提了出來，那就是極紫外光刻機。

這可能很多人都不熟悉，換上一個說法：euv光刻機。每一次光源的改進，都是能夠顯著提升光刻機所能實現的最小工藝節點。

只不過極紫外光刻機這個新概念被提了出來，但是卻沒有企業往這個上面投錢。

很簡單的原因，極紫外光想要作為光源用到光刻上面，技術難度實在有著些過於的高了些。

反正，這屬於一個概念性的東西。

市場上面的光刻機，還依舊的能夠滿足需求，大家對於這極紫外光刻機並不急著要。

實際上，asml在1999年的時候才開始進行euv光刻機的研發工作。

計劃是透過五年時間，在2004年的時候，就推出euv光刻機產品。

但是到了2010年才是搞出第一臺euv光刻機原型機，2016年才是向下遊客戶正式供貨。

憑藉著euv光刻機，asml也是一舉成為全球光刻機領域當之無愧的最大巨頭。

光源對於光刻機的重要性，實在過於的重要了一些。

陳懷慶也是看過一些報道，說華國在極紫外光源上面是有著突破的。

也不知道具體情況到底如何。

網路上面的新聞，這很多都只是看上一個樂就行。

除了光源之外，工作臺和新的光刻技術創新，也是能夠提升最小工藝節點和生產效率以及產品良品率。

此時大家對極紫外光刻機沒有什麼信心，可是陳懷慶卻知道，這東西真的能行啊！

所以陳懷慶已經要求墨塔微電研發euv光刻機，並且在投入上面，還不小。

首先就是在光源技術上面，得要先研究出來大功率的極紫外光源才行。

陳懷慶覺得，肯定沒有什麼問題的。

他可是記得，米國一直在推鐳射武器的概念。

然後華國的鐳射武器都已經可以實戰化了，然後米國一下子就啞火了。

自己提出來的概念，怎麼華國給先搞了出來？

極紫外光刻機是米國那邊提出來的，為了打壓霓虹的半導體行業，對於極紫外光刻機的研究，根本就不要霓虹參與進來。

事實上，靠著美歐的能力，整個研究顯得很吃力。