第438章 光刻機專案：另闢蹊徑

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沐陽研究更新後的閱讀系統兩個多小時才研究透，興奮得睡不著。

喝了一杯茶，他想看看晶片製造技術的核心裝置：光刻機。

目前市場上，有兩種主流光刻機，一個是DUV光刻機，另一個是EUV光刻機。DUV是深紫外線（DeepUltravioletLithography），EUV是極深紫外線（ExtreUltravioletLithography)。

從製程範圍來看，DUV基本上只能做到25nIntel憑藉雙工作臺的模式做到了10n但是卻無法達到10n下。

只有EUV能滿足10n下的晶圓製造，並且還可以向5n3n續延伸。

這個線寬其實就是跟光的線寬有關係，比如可見光的G線，那就是436n如果用來刻蝕，線路肯定很寬。

可以簡單地認為，光刻機的光系統其實就是一支畫筆，不同的光代表不同粗細大小的筆芯，越細的筆（光）能夠畫越細越複雜的畫。

DUV就是彩筆，EUV就是中性筆，中性筆畫的線條比較細，比較好用。

這麼理解，也好理解光刻機到底如何刻蝕電路圖了。

當前，國外品牌光刻機主要以荷藍ASML，島國Nikon和Canon三大品牌為主。

EUV的價格是1—3億美金／臺，DUV的價格為2000萬—5000萬美金／臺不等。

目前先進的光刻系統就是EUV光刻機，如果沐陽打算走EUV光刻機路線，必然繞不開別人的技術專利保護範圍。

因此，他只能尋找另外光種的光刻機，同時要考慮到光的解析度、對準精度、曝光方式、光源波長、光強均勻性、生產效率等指標。

就說解析度，如果製作出來的電路圖模糊不清，那晶片肯定不好。

光刻機其它的指標，也可以比喻成畫筆的效能就行了。

並不是說，沐陽不能搞光刻機了，只是說，再搞DUV和EUV光刻機，繞不開以上三家企業的技術專利保護範圍。

所以，他只能另闢蹊徑。

很久之前，沐陽就想到過電子束光刻機。

原本，再過幾年，漂亮國的一個實驗室研發出一套名為ZyvexLitho1的光刻系統，基於STM掃描隧道顯微鏡，使用的是EBL（E-Beaithography）電子束光刻方式，製造出了0.7n寬的晶片，只是沒法實現批次生產，或者成本高過。

沐陽相信，如果是技術成熟的電子束光刻機，線寬比0.7n小。

他在系統商店普通貨架上默唸搜尋電子束光刻機，很快，搜尋出幾款相關技術。

沐陽選擇適合自己公司的一款技術：EBL01

技術引數：

1.最小線寬：小於1nbr/>

2.加速電壓：5—500kV

3.電子束直徑：小於0.5nbr/>

4.套刻精度：1nan＋0.20）

5.拼接精度：1nan＋0.20）

6.加工晶圓尺寸：4—18英寸

7.描電鏡解析度：小於0.2nbr/>

主要特點：

1.採用超高亮度和超高穩定性的TFE電子槍；

2.出色的電子束偏轉控制技術；

3.採用場尺寸調製技術，電子束定位解析度可達0.0002n

4.採用軸對稱圖形書寫技術，圖形偏角解析度可達0.002ad；

5.應用領域廣泛，如

微納器件加工，研究用掩膜製造，奈米加工（例如單電子器件、量子器件製作等），高